新的半導(dǎo)體材料如 SiC 和 GaN，在開(kāi)發(fā)期間常常引入特別的挑戰(zhàn)。

• 直流半導(dǎo)體檢定需要全面的 I-V、C-V 和快速脈沖式測(cè)量。
• 測(cè)試高功率半導(dǎo)體器件時(shí)需要更高的電壓和功率水平、更快的切換時(shí)間、更高的峰電流和更低的漏電流。
• 半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境需要自動(dòng)化、探測(cè)站集成、速度和吞吐量進(jìn)行芯片分選、晶片驗(yàn)收和可靠性測(cè)試。

高速數(shù)字接口需要更短的 PHY 驗(yàn)證周期。更快地調(diào)試、協(xié)議解碼和識(shí)別源信號(hào)中的串?dāng)_等抖動(dòng)和噪聲，是設(shè)計(jì)師的最大需求。

電子驗(yàn)證測(cè)試太多，時(shí)間太少！